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| 文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 160 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 425pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 49W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 160@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 49000 |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 75 |
| 供应商设备封装 | TO-251AA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 160 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 49W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 425pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 10 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 49 W |
| 安装 | Through Hole |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.16 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | IPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 10 A |
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